Прогресс в области линейного источника питания LDO исследования
Недавно исследовательская группа профессора Мингсина из лаборатории технологий энергетической интеграции Школы интегрированных наук о окружающей среде и технике инженерии в Университете электронных наук и технологий Китая опубликовала результаты прорыва в области низкоэтажных технологий быстрого переходного периода в области линейных регуляторов с низким отсева
Эта технология может значительно улучшить высокоскоростную фотографию смартфонов и беспилотников. Он принимает усовершенствованное восстановление тока нагрузки и архитектуру управления активным зажимом, со статическим энергопотреблением всего 8,2 мк. A. он может одновременно обрабатывать высокие и низкочастотные переходные изменения нагрузки, сжимать коэффициент качества LDO до 41PS и достигать самой быстрой высокочастотной способности нагрузки в высококачественной отрасли LDO в первый раз.
Мобильные устройства, как правило, принимают архитектуру источника питания с точки зрения, состоящую из литийных аккумуляторных аккумуляторов, каскадированных многочисленных преобразователей Buck и LDO. Бак используется для высокоэффективного снижения напряжения, в то время как LDO преобразует выходное напряжение Buck в стабильный источник питания. Ключевая задача, стоящая перед конструкцией LDO, заключается в том, что для таких приложений, как флэш-память с низким входным напряжением и высоким током нагрузки, LDO обычно используют мощные транзисторы N-типа для уменьшения площади чипа и оптимизации производительности переходных процессов. Из-за уникальной проблемы с мертвой зоной привода NMOS-LDO, высокочастотные переходные процессы нагрузки могут значительно снизить производительность переходных процессов; В то же время, статическое энергопотребление LDO должно быть сведено к минимуму для продления срока службы батареи, но стремление к низкому потреблению мощности ухудшает ключевые характеристики LDO, такие как переходное значение и коэффициент подавления мощности.
Основываясь на вышеупомянутых проблемах, исследовательская группа разработала статическое восстановление тока и почти нулевую архитектуру управления LDO с Zero Dead Dead Zone и предложила новую архитектуру буферной архитектуры для MOS с повышенной трансдуктивностью. В то время как эффективное управление емкостью затвора транзистора питания статическое энергопотребление полностью восстанавливается нагрузкой; Активная цепь зажима используется для быстрого и точного закрепления нижнего предела выходного напряжения усилителя ошибки, когда выходное напряжение прерывается, уменьшая мертвую зону привода LDO до почти нулевого состояния.
С помощью приведенной выше технологии LDO был разработан для достижения качества 41PS при потреблении всего 8,2 мкя, в то время как колебание выходного напряжения во время высокочастотных переходных процессов увеличилось только на 40% по сравнению с низкочастотными переходными процессами. По сравнению с международным уровнем расширенного исследования, он имеет значительные преимущества в высокоскоростной и низкой реакции.
