1. Увеличение
В отличие от обычных оптических микроскопов, в РЭМ увеличение регулируется размером области сканирования 3-. Если требуется большее увеличение, просто сканируйте меньшую область. Увеличение получается путем деления площади экрана/фото на площадь сканирования. Поэтому в РЭМ объектив не имеет никакого отношения к увеличению.
2. Глубина поля
В SEM точки выборки, расположенные в небольшой области слоя выше и ниже фокальной плоскости, могут быть хорошо сфокусированы и отображены. Толщина этого небольшого слоя называется глубиной резкости и обычно составляет несколько нанометров, поэтому SEM можно использовать для трехмерного изображения наноразмерных образцов.
3. Объем действия
Электронный пучок взаимодействует не только с атомами на поверхности образца, он фактически взаимодействует с атомами в образце в пределах определенного диапазона толщин, поэтому возникает «объемное» взаимодействие. Толщина объема действия варьируется в зависимости от сигнала:
Ou Ge Electronics: 0.5~ 2нм.
Вторичные электроны: 5А, для проводников, λ=1 нм; для изоляторов λ=10 нм.
Обратнорассеянные электроны: в 10 раз больше, чем вторичные электроны.
Характеристика рентгеновских лучей: микронный масштаб.
Континуум рентгеновского излучения: немного больше, чем характеристическое рентгеновское излучение, также в микрометровом масштабе.
4. Рабочее расстояние
Рабочее расстояние относится к вертикальному расстоянию от объектива до самой высокой точки образца.
Если увеличить рабочее расстояние, можно получить большую глубину резкости при условии, что другие условия останутся неизменными.
Если рабочее расстояние уменьшить, можно получить более высокое разрешение при прочих равных условиях.
Обычно используемое рабочее расстояние составляет от 5 мм до 10 мм.
5. Визуализация
Для визуализации можно использовать вторичные электроны и обратно рассеянные электроны, последние не так хороши, как первые, поэтому обычно используются вторичные электроны.
6. Анализ поверхности
Процесс генерации электронов Og, характеристического рентгеновского излучения и обратнорассеянных электронов связан с атомными свойствами образцов, поэтому их можно использовать для анализа состава. Однако, поскольку электронный луч может проникать только в очень неглубокий слой поверхности образца (см. рабочий объем), его можно использовать только для анализа поверхности.
Характеристический рентгеновский анализ является наиболее часто используемым анализом поверхности, и используются два типа детекторов: анализатор энергетического спектра и анализатор спектра. Первый быстрый, но не точный, второй очень точный и может обнаружить присутствие микроэлементов, но занимает слишком много времени.
