Какие факторы влияют на разрешающую способность просвечивающего электронного микроскопа?
А. Диаметр пятна падающего электронного луча: предел разрешающей способности РЭМ. Как правило, минимальный диаметр пятна электронной пушки с горячим катодом может быть уменьшен до 6 нм, а автоэмиссионная электронная пушка может сделать диаметр пятна менее 3 нм.
B. Эффект расширения падающего электронного луча в образце: степень диффузии зависит от энергии электронов падающего луча и атомного номера образца. Чем выше энергия падающего луча и чем меньше атомный номер образца, тем больше объем электронного луча, тем больше площадь сигнала, генерируемого при диффузии электронного луча, что снижает разрешение.
C. Метод визуализации и используемый сигнал модуляции: когда сигнал модуляции вторичных электронов из-за его низкой энергии (менее 50 эВ), средний свободный диапазон короток (10 ~ 100 нм или около того), только в поверхностном слое диапазон глубины 50 ~ 100 нм, вторичные электроны могут покинуть поверхность образца, возникновение количества рассеяния очень ограничено, в основном не расширяется в поперечном направлении, поэтому разрешение изображения вторичных электронов примерно равно лучу диаметр пятна. Когда в качестве сигнала модуляции используются обратнорассеянные электроны, обратнорассеянные электроны могут выйти из более глубокой области образца (около 30% эффективной глубины) из-за их высокой энергии и проникающей способности. В этом диапазоне глубин падающие электроны имеют довольно широкое поперечное расширение, поэтому разрешение изображения обратно рассеянных электронов ниже, чем изображение вторичных электронов, обычно в диапазоне 500 ~ 2000 нм или около того. Если поглощение электронов, рентгеновских лучей, катодолюминесценции, проводимости или потенциала зондирования луча в качестве сигнала модуляции других режимов работы из-за сигнала всей области рассеяния электронного луча, результирующее сканированное изображение с разрешением относительно низкое, обычно варьируются в пределах l,000 нм или 1000 нм или более.
