Инфракрасная микроскопия в электронной промышленности при применении миниатюрных устройств
I. Направление применения: инфракрасная микроскопия при температурном тестировании миниатюрных полупроводниковых устройств.
II.Справочная информация:
С развитием нанотехнологий ее нисходящая миниатюризация все шире применяется в области полупроводниковых технологий. Раньше мы называли технологию микросхем «микроэлектроникой», поскольку размер транзисторов измеряется микронами (10-6 метра). Однако полупроводниковые технологии развиваются так быстро, что каждые два года они продвигаются вперед на одно поколение и уменьшаются вдвое от своего первоначального размера, что известно как закон Мура. Около 15 лет назад полупроводники начали вступать в эпоху субмикронов, или менее микрона, за которой последовала эра глубоких субмикронов, или гораздо меньше микрона. К 2001 году размер транзисторов был даже меньше 0,1 микрона или менее 100 нанометров. Таким образом, наступила эра наноэлектроники, и большая часть будущих микросхем будет производиться с использованием нанотехнологий.
В-третьих, технические требования:
В настоящее время основной формой выхода из строя электронных устройств является термический отказ. По статистике, 55% отказов электронных устройств вызвано превышением температуры указанного значения, а с повышением температуры частота отказов электронных устройств увеличивается в геометрической прогрессии. Вообще говоря, надежность работы электронных компонентов чрезвычайно чувствительна к температуре, температура устройства на уровне 70-80 градусов при увеличении на каждый 1 градус надежность упадет на 5%. Поэтому существует потребность в быстром и надежном определении температуры устройств. Поскольку размеры полупроводниковых устройств становятся все меньше и меньше, к температурному и пространственному разрешению оборудования обнаружения предъявляются более высокие требования.
В-четвертых, тепловая карта объекта съемки (местоположение: известный научно-исследовательский институт. Модель: INNOMETE SI330).
