Краткое описание компоновки импульсных источников питания постоянного тока
1, работайте с петлей обратной связи (соответствует приведенному выше рисунку в R1-R2-R3-IC_FB и GND), линия обратной связи не идет под Шоттки, не находиться под индуктивностью (L1), не находиться под большими конденсаторами, не находиться в окружении большой токовой петли, при необходимости в резисторе выборки и конденсаторе на 100 пФ для повышения стабильности (но переходные процессы будут подвергаться малейшему воздействию);
2, линия обратной связи будет скорее тонкой, чем толстой, потому что чем шире линия, тем более очевиден эффект антенны, влияющий на стабильность петли. Обычно используйте 6-12мил лески.
3, все конденсаторы как можно ближе к микросхеме.
4, индуктивность в соответствии со спецификациями индикаторов 120-130% выбора емкости, не слишком большая, слишком большая повлияет на эффективность и переходные процессы; 5, емкость в соответствии со спецификациями 120-130% выбора емкости.
5, конденсаторы в соответствии со спецификациями выбора емкости 150%. Если в чипе керамические конденсаторы, если вы используете 22 мкФ, с двумя параллельными соединениями по 10 мкФ будет лучше. Если стоимость не важна, конденсатор может быть большего размера. Особое примечание: выходная емкость, если используются алюминиевые электролитические конденсаторы, всегда не забывайте использовать высокочастотные низкоомные, а не просто ставить конденсаторы низкочастотного фильтра!
6, чтобы, насколько это возможно, уменьшить площадь, окружающую сильноточную петлю. Если не удобно сужать, медным способом в узкую щель.
7, не используйте термостойкие прокладки в критических контурах, они придадут избыточные индуктивные свойства.
8. При использовании слоев земли приложите все усилия, чтобы сохранить целостность слоя земли под входным контуром переключения. Любое срезание слоя земли в этой области снизит эффективность слоя земли и увеличит сопротивление сигнала через отверстия даже через слой земли.
9. Переходные отверстия можно использовать для подключения развязывающего конденсатора и заземления микросхемы к заземляющему слою, что сводит к минимуму петлю. Однако следует иметь в виду, что индуктивность переходных отверстий колеблется примерно от 0,1 до 0,5 нГн, в зависимости от толщины и длины переходных отверстий, и они увеличивают общую индуктивность контура. . Для соединений с низким импедансом желательно использование нескольких переходных отверстий.
В приведенном выше примере дополнительные переходные отверстия к слою земли не помогают уменьшить длину петли C IN. Однако в другом примере, поскольку верхний слой имеет длинный путь, очень эффективно уменьшить площадь контура через переходные отверстия.
Следует отметить, что использование слоя земли в качестве пути возврата тока вносит в него большое количество шума, поэтому локальный слой земли можно изолировать и соединить с основным заземлением через точку с очень низким уровнем шума.
