Способы использования мультиметра для обнаружения силового модуля инвертора
При обнаружении силового модуля в цепи (изолированного от электросети) используйте стрелочный мультиметр с диапазоном R×1 для измерения шести диодов выпрямительного моста, а также коллектора и эмиттера шести IGBT-транзисторов выходного моста в прямом и обратном направлениях соответственно, чтобы определить, не повреждены ли они. Таблицы 1 и 2 показывают нормальные результаты измерений. В противном случае внутри находятся сломанные-компоненты. Используйте диапазон B×1k стрелочного мультиметра для измерения сопротивления между затвором и эмиттером каждого из шести IGBT-транзисторов (входной вывод управляющего сигнала) соответственно, и они должны быть одинаковыми. Если есть различия, это указывает на повреждение схемы управления или IGBT-транзистора. Вышеупомянутые измерения позволяют обнаружить только повреждение IGBT-транзисторов при пробое и не могут обнаружить повреждение обрыва-цепи. После снятия силового модуля с печатной платы можно провести дальнейшие измерения каждого IGBT-транзистора. Метод показан на рисунке 1. Указатель слева указывает на отсутствие -проводимости, а указатель справа указывает на проводимость. Если его невозможно заставить проводить и отключить, то транзистор поврежден.
Структура силового модуля инвертора:
Внутри силового модуля инвертора одна часть представляет собой однофазную или трехфазную мостовую выпрямительную схему, состоящую из диодов, а другая часть представляет собой трехфазную мостовую выходную схему, состоящую из шести транзисторов IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) и шести демпфирующих диодов, используемых совместно.
P1 — положительная клемма выпрямленного выхода +300В, а N1 — отрицательная клемма выпрямленного выхода. Эти два контакта внешне подключены к электролитическому конденсатору фильтра и через общую катушку индуктивности, где P1 подключен к P2, а N1 подключен к N2, обеспечивая питание выходного моста, состоящего из шести IGBT-транзисторов.
Коллекторы трех IGBT-транзисторов в верхнем полу-мосте трехфазного выходного моста подключены к положительной клемме источника питания, а эмиттерами являются трехфазные выходные клеммы U, V и W соответственно. Эмиттеры и затворы трех транзисторов образуют входные клеммы управляющих сигналов для трех-фазного верхнего полумоста, а именно GU-U, GV-V и GW-W. Коллекторы трех IGBT-транзисторов нижнего полумоста трехфазного выходного моста подключены соответственно к U, V и W, а все эмиттеры подключены к отрицательной клемме источника питания. Затворы трех транзисторов и отрицательная клемма источника питания образуют входные клеммы управляющих сигналов трехфазного нижнего полумоста, а именно GX, GY и GZ. B — клемма управления торможением.
