Применение инфракрасных микроскопов в микроустройствах электронной промышленности.
С развитием нанотехнологий подход к миниатюризации сверху-все чаще применяется в области полупроводниковых технологий. Раньше мы называли технологию ИС «микроэлектроникой», потому что размеры транзисторов находятся в диапазоне микрометров (10-6 метров). Но полупроводниковая технология развивается очень быстро, продвигаясь на одно поколение каждые два года, и размер уменьшится до половины своего первоначального размера, что является знаменитым законом Мура. Около 15 лет назад полупроводники начали вступать в эру субмикронов, которая меньше микрометров, за которой последовала более глубокая субмикронная эра, намного меньшая, чем микрометры. К 2001 году размер транзисторов даже уменьшился до менее 0,1 микрометра, что составляет менее 100 нанометров. Поэтому в эпоху наноэлектроники большая часть будущих ИС будет изготавливаться с использованием нанотехнологий.
Технические требования:
В настоящее время основной формой выхода из строя электронных устройств является термический отказ. По статистике, 55% отказов электронных устройств вызваны превышением температуры указанного значения, а интенсивность отказов электронных устройств увеличивается в геометрической прогрессии с ростом температуры. Вообще говоря, эксплуатационная надежность электронных компонентов очень чувствительна к температуре: надежность снижается на 5% на каждый 1 градус повышения температуры устройства в диапазоне 70-80 градусов Цельсия. Поэтому необходимо быстро и достоверно определять температуру устройства. Из-за все меньшего размера полупроводниковых приборов предъявляются более высокие требования к температурному и пространственному разрешению оборудования обнаружения.
