В чем разница между электронным микроскопом и оптическим микроскопом при наблюдении объектов?
Оптические микроскопы сильно отличаются от электронных микроскопов, с другими источниками света, другими объективами, другими принципами формирования изображений, разными разрешениями, разной глубиной резкости и разными методами подготовки образцов. Оптический микроскоп, широко известный как световой микроскоп, представляет собой микроскоп, в котором в качестве источника освещения используется видимый свет. Оптический микроскоп — это оптический прибор, использующий оптические принципы для увеличения и отображения крошечных объектов, которые не может различить человеческий глаз, чтобы люди могли извлекать информацию о микроструктуре. Он широко используется в клеточной биологии. Оптический микроскоп обычно состоит из предметного столика, системы прожектора, объектива, окуляра и механизма фокусировки. Этап используется для удержания объекта наблюдения. Механизм регулировки фокуса может приводиться в действие ручкой регулировки фокуса, а предметный столик можно грубо или точно регулировать, чтобы обеспечить четкое изображение наблюдаемого объекта. Изображение, формируемое оптическим микроскопом, представляет собой перевернутое изображение (перевернутое, левое и правое взаимозаменяемы). Электронный микроскоп — это рождение высокотехнологичных продуктов. Он похож на оптический микроскоп, который мы обычно используем, но сильно отличается от оптического микроскопа. Во-первых, оптические микроскопы используют источники света. В электронном микроскопе используются электронные лучи, и результаты, наблюдаемые в них, различаются. Скажем так, увеличение разное. Например, при наблюдении клетки световой микроскоп может видеть только клетки и некоторые органеллы, такие как митохондрии и хлоропласты, но можно увидеть только существование ее клеток, но нельзя увидеть конкретное строение органелл. Электронный микроскоп позволяет более детально рассмотреть тонкую структуру органелл и даже макромолекул, таких как белки. К электронным микроскопам относятся просвечивающие электронные микроскопы, сканирующие электронные микроскопы, отражательные электронные микроскопы и эмиссионные электронные микроскопы. Среди них более широкое распространение получил сканирующий электронный микроскоп. Сканирующая электронная микроскопия широко используется при анализе и исследовании материалов. Он в основном используется для анализа разрушения материала, анализа компонентов микрозоны, анализа морфологии поверхности различных покрытий, измерения толщины слоя, морфологии микроструктуры и анализа наноматериалов. Комбинация рентгеновского дифрактометра и электронного энергетического спектрометра образует электронный микрозонд для анализа состава материалов и т. д. Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ), сокращенно СЭХ, представляет собой новый тип электронно-оптического прибора. Он состоит из трех частей: вакуумной системы, электронно-лучевой системы и системы визуализации. Он использует различные физические сигналы, возбуждаемые, когда точно сфокусированный электронный луч сканирует поверхность образца, для модуляции изображения. Падающие электроны вызывают возбуждение вторичных электронов с поверхности образца. То, что наблюдает микроскоп, - это электроны, рассеянные из каждой точки, и сцинтилляционный кристалл, помещенный рядом с образцом, принимает эти вторичные электроны, модулирует интенсивность электронного пучка кинескопа после усиления и изменяет яркость на экране кинескопа. Отклоняющая катушка кинескопа синхронно с электронным лучом сканирует поверхность образца, так что на флуоресцентный экран кинескопа выводится топографическое изображение поверхности образца. Он отличается простотой подготовки образцов, регулируемым увеличением, широким диапазоном, высоким разрешением изображения и большой глубиной резкости. Особенности применения просвечивающего электронного микроскопа: 1. Анализ дефектов кристаллов. Все структуры, которые нарушают нормальный период решетки, в совокупности называются кристаллическими дефектами, такими как вакансии, дислокации, границы зерен и выделения. Эти структуры, нарушающие периодичность решетки, приведут к изменению условий дифракции в области, где расположен дефект, делая условия дифракции в области, где расположен дефект, отличными от условий в нормальной области, показывая, таким образом, соответствующую разница в яркости и темноте на флуоресцентном экране. 2. Организационный анализ. В дополнение к различным дефектам, которые могут давать различные дифракционные картины, они могут быть использованы для анализа структуры и ориентации кристаллов при наблюдении за морфологией структуры. 3. Наблюдение на месте. С соответствующей стадией образца можно проводить эксперименты на месте в ПЭМ. Например, процесс деформации и разрушения можно наблюдать, растягивая образец с деформацией. 4. Технология микроскопии высокого разрешения. Улучшение разрешения, чтобы мы могли более глубоко наблюдать за микроструктурой материи, было целью, которую люди постоянно преследуют. В электронном микроскопе высокого разрешения используется изменение фазы электронного луча, а когерентное изображение формируется более чем двумя электронными пучками. При условии, что разрешающая способность электронного микроскопа достаточно высока, чем больше используется электронных пучков, тем выше разрешающая способность изображения, даже его можно использовать для изображения атомной структуры тонких образцов.
